[13a-A305-1~9] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13a-A305-3] Single-shot readout of electron state in physically defined silicon quantum dot

〇Raisei Mizokuchi¹, Masahiro Tadokoro¹, Masaru Hirayama¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:quantum dot, silicon

本研究では、silicon-on-insulator基板をエッチングすることで形成された物理形成シリコン量子ドット中のスピン読み出しに向け、電荷センサを利用した電子状態のシングルショット測定を行った。測定では300 mKにおいて、電子数変化が起こるようにパルスを印加し、単発のトンネリング現象による時間に依存した電流値の階段状の変化の観測に成功した。