[13a-A305-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13a-A305-3] 物理的に形成されたシリコン量子ドットを用いた電子状態のシングルショット測定

〇溝口 来成¹、田所 雅大¹、平山 勝登¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大)

キーワード：量子ドット、シリコン

本研究では、silicon-on-insulator基板をエッチングすることで形成された物理形成シリコン量子ドット中のスピン読み出しに向け、電荷センサを利用した電子状態のシングルショット測定を行った。測定では300 mKにおいて、電子数変化が起こるようにパルスを印加し、単発のトンネリング現象による時間に依存した電流値の階段状の変化の観測に成功した。