[13a-A305-1~9] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13a-A305-4] Hole transport properties of germanium quantum dot with two-layer gate structure

〇Ryutaro Matsuoka¹, Raisei Mizokuchi¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:quantum dot, quantum bit, germanium

ゲルマニウム中の重い正孔は，Ⅳ族半導体のため長いコヒーレンス時間持つだけではなく，軽い有効質量による顕著な量子効果を示し，量子ビット実現に向けて将来性が期待されている．また，強いスピン軌道相互作用を持つことから簡素な構造で量子ビットが実現できる．本研究では，2層ゲート構造のゲルマニウム量子ドットを作製し，ゲート電圧を変化させることでその正孔輸送特性を調べた．