[13a-A305-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13a-A305-4] ２層ゲート構造ゲルマニウム量子ドットの正孔輸送特性

〇松岡 竜太郎¹、溝口 来成¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大)

キーワード：量子ドット、量子ビット、ゲルマニウム

ゲルマニウム中の重い正孔は，Ⅳ族半導体のため長いコヒーレンス時間持つだけではなく，軽い有効質量による顕著な量子効果を示し，量子ビット実現に向けて将来性が期待されている．また，強いスピン軌道相互作用を持つことから簡素な構造で量子ビットが実現できる．本研究では，2層ゲート構造のゲルマニウム量子ドットを作製し，ゲート電圧を変化させることでその正孔輸送特性を調べた．