[13a-A305-1~9] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13a-A305-5] AC electric field dependence of current characteristics in physically defined p-type silicon quantum dot

〇Masahiro Tadokoro¹, Henan Wei¹, Hiroki Takahashi¹, Raisei Mizokuchi¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:qubit, silicon quantum dot, hole spin

p型シリコン量子ドットは長いコヒーレンス時間を持つとされ、また交流電場のみでスピン操作を実現することができ、将来的な量子コンピュータ実現に向け期待される系の一つである。本研究では物理的に形成されたp型シリコン量子ドットに交流電場を印加し単一量子ドットの電流特性を測定し、Photon assisted tunnelingによるクーロンピークの分裂を観測することに成功した。