[13a-A305-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13a-A305-5] 物理的に形成されたp型シリコン量子ドットにおける電流特性の交流電場依存性

〇田所 雅大¹、魏 赫男¹、高橋 洋貴¹、溝口 来成¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大)

キーワード：量子ビット、シリコン量子ドット、正孔スピン

p型シリコン量子ドットは長いコヒーレンス時間を持つとされ、また交流電場のみでスピン操作を実現することができ、将来的な量子コンピュータ実現に向け期待される系の一つである。本研究では物理的に形成されたp型シリコン量子ドットに交流電場を印加し単一量子ドットの電流特性を測定し、Photon assisted tunnelingによるクーロンピークの分裂を観測することに成功した。