[13a-A401-1~11] 17.2 Graphene

[13a-A401-8] Suppression of Gate-Leakage Current in Graphene Biosensor

〇Kiyoji Sakano¹, Takao Ono^1,2, Yasushi Kanai¹, Tomohiro Koyama¹, Masami Tanioku¹, Kaori Yamamoto¹, Naruto Miyakawa³, Shota Ushiba³, Masahiko Kimura³, Koichi Inoue¹, Daichi Chiba¹, Kazuhiko Matsumoto¹ (1.ISIR, Osaka Univ., 2.JST-PRESTO, 3.Murata Mfg.)

Keywords:graphene, biosensor, GFET

グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)を用いたバイオセンサの測定誤差の原因の一つにゲートリーク電流があり、この抑制にためにGFET基板上にインクジェット描画による絶縁樹脂の塗布を行った。この結果、絶縁樹脂の重ね塗りによる膜厚増とともにリーク電流が抑制される傾向があり、絶縁樹脂の塗布前後で、リーク電流は数十分の一まで低減されることが確認できた。