[13a-A403-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [13a-A403-7] キャリアライフタイム熱処理依存性に基づくRPD誘起欠陥解析

〇原 知彦¹、脇田 陸¹、神岡 武文^1,2、大下 祥雄¹ (1.豊田工大、2.明治大)

キーワード：深準位過渡応答分光法、インジウム添加スズ酸化物、ヘテロ接合型太陽電池

透明電極材料を反応性プラズマ堆積（RPD）法で成膜するとSiの実効少数キャリアライフタイムが低下し、また200℃程度の熱処理により回復することが知られている.我々はキャリアライフタイム低下の原因を明らかにするためDeep Level Transient Spectroscopy(DLTS)測定を行い、RPDプロセスにより最低でも4種類の欠陥が導入されていることを報告してきた.今回はキャリアライフタイムと欠陥密度の熱処理依存性を比較することでキャリアライフタイムと各欠陥との相関について検討した.