[13a-A405-1~11] 12.2 評価・基礎物性

△ [13a-A405-8] 遷移金属内包シリコンケージクラスター薄膜の電気伝導特性

〇横山 高穂¹、千葉 竜弥¹、平田 直之¹、角山 寛規¹、渋田 昌弘^1,2、中嶋 敦¹ (1.慶大理工、2.フィリップス大)

キーワード：シリコン、薄膜、ナノクラスター

金属内包シリコンケージクラスター(M@Si₁₆)は16個のケイ素原子でできたカゴの中心に金属原子1個が内包された構造をもち，内包金属を替えるとカゴの構造を保持したまま電子状態が変化することから電子デバイスの機能単位としての応用が期待される。本研究では，精密に合成されたM@Si₁₆の集積薄膜を作製し，電流－電圧 (I-V) 特性の温度依存性から電気伝導機構を明らかにした。