[13a-B401-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [13a-B401-7] Si基板上縦型GaNショットキーバリアダイオードの試作

〇(M1C)檀上 京之介¹、水谷 凌¹、山本 圭司¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：半導体、GaN

パワーエレクトロニクス分野において、更なる発展のために高周波、小型なデバイスが望まれている。そのためには、半導体をパワーデバイスとして浸透させる事が不可欠である。そこで我々の研究室では次世代材料として、ワイドギャップ半導体のGaN（窒化ガリウム）に注目し、低コスト高耐圧を狙えるSi基板上縦型GaNデバイスの研究を進めている。本研究では、Si基板上縦型GaN-SBD（ショットキーバリアダイオード）について報告する。