[13a-B406-1~10] 11.1 Fundamental properties

[13a-B406-2] Nb/Bi₂Te₃/Nb Josephson Junctions and Charge Distribution in Bi₂Te₃ Thin Film

〇Hiroaki Myoren¹, Stehno Martin P,^2,3, Ngabonziza Prosper^2,4, Brinkman Alexander² (1.Saitama Univ., 2.Univ. Twente, 3.Univ. Wurzburg, 4.Max Planck Inst.)

Keywords:topological insulator, Josephson junction, charge distribution

本研究では、SrTiO₃(111)基板(STO基板)上にMBE法によりエピタキシャル成長した3次元トポロジカル絶縁体(3DTI) Bi₂Te₃薄膜[2]を用いてNb/Bi₂Te₃/Nb接合を作製し、基板をゲート絶縁体として用いることによりBi₂Te₃薄膜中のキャリア密度分布を操作して接合の電流-電圧特性等を測定した。実験結果は、自己無撞着なシュレーディンガー・ポアッソン方程式の解を基にしたモデルによるキャリア分布を用いてよく説明できることがわかったので報告する。