9:15 AM - 9:30 AM
[13a-B406-2] Nb/Bi2Te3/Nb Josephson Junctions and Charge Distribution in Bi2Te3 Thin Film
Keywords:topological insulator, Josephson junction, charge distribution
本研究では、SrTiO3(111)基板(STO基板)上にMBE法によりエピタキシャル成長した3次元トポロジカル絶縁体(3DTI) Bi2Te3薄膜[2]を用いてNb/Bi2Te3/Nb接合を作製し、基板をゲート絶縁体として用いることによりBi2Te3薄膜中のキャリア密度分布を操作して接合の電流-電圧特性等を測定した。実験結果は、自己無撞着なシュレーディンガー・ポアッソン方程式の解を基にしたモデルによるキャリア分布を用いてよく説明できることがわかったので報告する。