[13a-B406-1~10] 11.1 基礎物性

[13a-B406-2] Nb/Bi₂Te₃/Nb接合とBi₂Te₃トポロジカル絶縁体薄膜中のキャリア分布

〇明連 広昭¹、Stehno Martin P,^2,3、Ngabonziza Prosper^2,4、Brinkman Alexander² (1.埼玉大院、2.トウェンテ大、3.ウェルブルツ大、4.マックスプランク研)

キーワード：トポロジカル絶縁体、ジョセフソン接合、キャリア分布

本研究では、SrTiO₃(111)基板(STO基板)上にMBE法によりエピタキシャル成長した3次元トポロジカル絶縁体(3DTI) Bi₂Te₃薄膜[2]を用いてNb/Bi₂Te₃/Nb接合を作製し、基板をゲート絶縁体として用いることによりBi₂Te₃薄膜中のキャリア密度分布を操作して接合の電流-電圧特性等を測定した。実験結果は、自己無撞着なシュレーディンガー・ポアッソン方程式の解を基にしたモデルによるキャリア分布を用いてよく説明できることがわかったので報告する。