[13a-B408-1~9] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

[13a-B408-4] 局地磁束バイアスを用いた超伝導単一磁束量子論理ゲートの動作実証

〇浅田 峻汰¹、山梨 裕希¹、吉川 信行¹ (1.横国大学院理工)

キーワード：単一磁束量子回路、局地磁束バイアス、論理ゲート

本研究では磁束量子を蓄えるストレージループに磁束を印可することによって位相シフトを実現する局地磁束バイアスという方法を用いて超伝導単一磁束量子論理ゲートの設計を行い動作実証をした。この方法は回路作製プロセスの変更や、回路冷却時の操作をすることなくチップ上に配置された 1 本の磁束バイアス線に電流を流すことによって、チップ上のあらゆる回路部で位相シフトをすることができる。