[13a-D215-1~7] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[13a-D215-4] サファイアS, r面ナノファセット基板上の(110)配向ZnTe薄膜成長

〇(B)小林 昇太郎¹、譚 皓天¹、渡部 永志¹、小林 正和^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)

キーワード：半導体、結晶成長

テラヘルツ検出素子応用に向け、サファイア基板上に(110)配向のZnTe薄膜の作製を目指し、S面方向に20度傾けたm面ナノファセット基板上にMBE法を用いて、ZnTe薄膜を作製した。今回の発表では、成長初期の工程であるMEE成長と基板温度の条件に着目して実験を行い、得られた成果について発表する。