[13a-D221-1~12] 6.4 Thin films and New materials

[13a-D221-1] A study on low temperature atomic layer deposition of aluminum nitride using plasma excited ammonia

〇(M2)Kentaro Saito¹, Kazuki Yoshida¹, Kensaku Kanomata², Masanori Miura², Bashir Ahmmad¹, Shigeru Kubota¹, Fumihiko Hirose¹ (1.Yamagata Univ., 2.ROEL Yamagata Univ.)

Keywords:atomic layer deposition, aluminum nitride

窒化アルミニウム(AlN)は、6.3 eVのバンドギャップを持つ直接遷移型半導体である。そのため、UV-LEDへの応用が期待される。従来のAlN薄膜の製膜法は化学気相堆積法、原子層堆積法等である。これらは通常300 ℃以上の高温で行われる。AlN薄膜をフレキシブルデバイスに応用するために、100 ℃程度まで低温化が必要である。我々はtrimethylalminiumを原料ガスに、プラズマ励起NH₃を窒化ガスに用いた低温AlN-ALDを実現するために、多重内部反射赤外吸収法での表面反応のその場観察を行った。