[13a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13a-D419-12] 大気中VB法成長直径2インチβ-Ga₂O₃単結晶の半導体特性

〇(M1)高部 守¹、小林 壮¹、太子 敏則¹、干川 圭吾^1,2、大葉 悦子²、小林 拓実² (1.信州大工、2.不二越機械工業)

キーワード：β型酸化ガリウム、電気的特性、キャリア濃度

VB法で育成した2インチのβ-Ga₂O₃単結晶の電気的特性を測定し、結晶中の不純物濃度の比較をした。結晶中のドーパント濃度が増加するにつれ、ドーパントの活性化率が減少することが分かった。