[13a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13a-D419-2] Mg_xZn_1-xO/n-ZnO構造の光学特性評価

〇遠藤 治之¹、目黒 和幸¹、阿部 貴志¹、高橋 強¹、柏葉 安兵衛² (1.岩手県工技センタ、2.岩手大)

キーワード：MgxZn1-xO、ショットキーフォトダイオード

我々はこれまでUV-C波長域を選択的に検出可能なPt/Mg_xZn_1-xO/n-ZnO ショットキーフォトダイオード型UVセンサの開発を進めてきた。本報告では分光感度改善を目的とし、Mg_xZn_1-xO/n-ZnO構造の内部量子効率について調査するため、分光蛍光光度計、分光光度計および分光エリプソメータ等を使用してMg_xZn_1-xO/n-ZnOの光学特性を評価したので報告する。