[13a-D511-1~12] 9.4 熱電変換

△ [13a-D511-8] トポロジカル絶縁体Bi_2−xSb_xTe_3−ySe_y表面の熱電特性:イオン不純物の影響

〇千葉 貴裕¹、小峰 啓史²、高橋 三郎³ (1.福島高専、2.茨城大工、3.東北大AIMR)

キーワード：トポロジカル絶縁体、熱電効果、不純物散乱

本研究では、トポロジカル絶縁体であるBi_2−xSb_xTe_3−ySe_y (BSTS)における元素置換を動機として、電荷乱れを導入した表面における熱電特性を理論的に研究した。イオン不純物のモデルとしてクーロン型の長距離ポテンシャル、およびデルタ関数型の短距離ポテンシャルの2つを想定し、ボルツマンの輸送理論により熱起電力およびZTを計算した。BSTS表面における熱起電力の実験と比較した結果、低温ではクーロン型の不純物散乱が支配的であることがわかった。