[13a-D519-1~10] 9.1 誘電材料・誘電体

[13a-D519-5] K(Ta, Nb)Si₂O₇単結晶の作製と強誘電特性の評価

〇(M2)大沼 美穂¹、武田 博明¹、鶴見 敬章¹、保科 拓也¹ (1.東工大物質理工)

キーワード：強誘電体、単結晶、シリケート化合物

KNbSi₂O₇（KNS）はペロブスカイト構造の間にSiO₄四面体が入り込んだ構造をとる新規強誘電体である。本研究では、KNSのNbイオンの一部をTaで置換したKTa_xNb_1-xSi₂O₇ (KTNS, x = 0−0.3)の単結晶を作製し、その強誘電性を測定した。分極測定の結果、Ta置換率の増加に伴い自発分極値は増加した。一方、第一原理計算による自発分極の理論値は、逆の傾向を示した。KTNSが持つ本来の強誘電性について、高温での分極測定や高温分極処理の結果に基づき詳細に議論した。