[13a-PA3-1~35] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13a-PA3-1] 絶縁層へのCu導入がCBRAMに与える影響のTEM内評価

〇武藤 恵¹、中島 励¹、藤田 順¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：抵抗変化メモリ、TEM

次世代不揮発メモリとして研究開発が進んでいるCBRAMには、モノポーラとバイポーラの2つの動作がある。本研究はモノポーラ動作に着目し、TEM内でCBRAMの観察を行った。電圧印加によるCu拡散に伴い、析出物が増加しモノポーラ動作を始めた。以上をリアルタイムでTEM観察したが、どの段階でもフィラメントは見られなかった。この結果は、CBRAMのモノポーラ動作には、フィラメントがいらず広範囲のCu拡散が必要であることを示唆する。