[13a-PA3-1~35] 6.3 Oxide electronics

△ [13a-PA3-1] In situ TEM evaluation of relationship between CBRAM’s characteristics and Cu introduction into the insulating layer

〇Satoshi Muto¹, Tsutomu Nakajima¹, Nao Fujita¹, Atsushi Fukuchi¹, Masashi Arita¹, Yasuo Takahashi¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:ReRAM, TEM

次世代不揮発メモリとして研究開発が進んでいるCBRAMには、モノポーラとバイポーラの2つの動作がある。本研究はモノポーラ動作に着目し、TEM内でCBRAMの観察を行った。電圧印加によるCu拡散に伴い、析出物が増加しモノポーラ動作を始めた。以上をリアルタイムでTEM観察したが、どの段階でもフィラメントは見られなかった。この結果は、CBRAMのモノポーラ動作には、フィラメントがいらず広範囲のCu拡散が必要であることを示唆する。