[13a-PA3-1~35] 6.3 Oxide electronics

[13a-PA3-13] VO₂ thin film growth on flexible substrate and electrical characterization

〇Akichika Murakami¹, Kunio Okimura¹, Toshihiro Nakanishi² (1.Tokai Univ., 2.Kyoto Univ.)

Keywords:Vanadium dioxide, Polyimide, Zinc oxide

二酸化バナジウム(VO₂)は68℃程度で電気抵抗が4桁以上変化する絶縁体-金属転移(Insulator-Metal Transition: IMT)を示す相転移材料である. VO₂は温度変化以外に伸縮によって高温相c軸に沿うV-Vペアの長さが変化することによるIMTを発現して抵抗値変化することが知られており, 高感度応力センサー等への応用が期待されている. VO₂を柔軟な基板やシートに堆積させることができれば, 大きな応力印加に対する応答を調べることができ応用への道が拓ける. 本研究ではフレキシブル基板として熱硬化タイプのポリ系の中で耐熱性及び曲げ弾性率が高いポリイミドを用い, VO₂結晶薄膜を堆積して応力印加による電気特性について調べることを目的とした.