[13a-PA3-1~35] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-PA3-14] ZrO_x/SiO_x二層抵抗変化層を用いた ReRAM の電気特性評価

〇(B)當山 啓斗¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：抵抗変化メモリ