[13a-PA3-1~35] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-PA3-32] パルスレーザ堆積法によるTi₂O₃エピタキシャル薄膜作製条件の最適化

〇長谷川 直人¹、志賀 大亮¹、吉松 公平¹、組頭 広志¹ (1.東北大多元研)

キーワード：酸化チタン、強相関電子系、金属絶縁体転移

我々は、パルスレーザ堆積法を用いて様々な基板温度・酸素分圧下で酸化チタン薄膜合成を行い、Ti₂O₃エピタキシャル薄膜の成長条件最適化ならびに薄膜表面の電子状態、輸送特性の評価を行った。その結果、基板温度1000˚C、酸素分圧5 × 10⁻⁷ Torrの合成条件において、(0001)配向したTi₂O₃のエピタキシャル成長を確認した。また、10^–7 Torrオーダーの厳密な酸素分圧制御により酸化チタンの結晶相を制御できることが明らかになった。