[13a-PA5-1~9] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[13a-PA5-3] GaInN/GaN 規則配列ナノコラム結晶における活性層の構造と光学特性の関係

〇吉田 圭吾¹、滝本 啓司²、富樫 理恵²、野村 一郎²、山口 智広¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、岸野 克巳² (1.工学院大工、2.上智大理工)

キーワード：半導体、ナノ構造、光物性（InGaN, InN)

GaInNは、発光波長の長波長化とともに不整合転位の増加により発光効率が低下する。ナノコラム結晶は貫通転位フィルタリングとひずみ抑制効果が発現され、GaInN/GaN 系材料の課題が軽減されうる。加えて、規則配列ナノコラムは選択成長法によって、ナノコラム径と配列周期が精密に制御できる。本研究では、同一基板上に周期とコラム径が異なる複数の三角格子配列GaInN/GaN ナノコラム結晶を成長し、光学特性のコラム構造依存性を調べた。