[13a-PA6-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[13a-PA6-9] The C-K edge ELNES analysis of C-C defect model in SiC by first principle calculation.

〇Takayuki Hirose¹, Yutaka Terao¹, Hideaki Teranishi¹, Aki Takigawa¹ (1.Fuji Electric)

Keywords:SiC, first principle calculation

SiO₂/SiC界面のELNES分析によるとπ*ピークが観測され、SiC結晶内部にも観測される。SiC結晶内部で観測されるπ*ピークの起源として考えられるC-C欠陥は酸素の影響で生成している可能性がある。そこで本研究ではSiC結晶内の酸化によるC-C欠陥生成と、それがπ*ピークを生成するかを第一原理計算によって解析した。その結果、SiC結晶内部に酸素が入ることによって3配位炭素が生成することで、π*ピークが現れることが分かった。