[13a-PA6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[13a-PA6-9] 第一原理計算で生成した4H-SiC結晶内C-C欠陥のELNES理論解析

〇広瀬 隆之¹、寺尾 豊¹、寺西 秀明¹、瀧川 亜樹¹ (1.富士電機)

キーワード：SiC、第一原理計算

SiO₂/SiC界面のELNES分析によるとπ*ピークが観測され、SiC結晶内部にも観測される。SiC結晶内部で観測されるπ*ピークの起源として考えられるC-C欠陥は酸素の影響で生成している可能性がある。そこで本研究ではSiC結晶内の酸化によるC-C欠陥生成と、それがπ*ピークを生成するかを第一原理計算によって解析した。その結果、SiC結晶内部に酸素が入ることによって3配位炭素が生成することで、π*ピークが現れることが分かった。