[13p-A201-1~9] 非晶質材料の動的現象とデバイス応用の現状と展望

△ [13p-A201-3] 不揮発性メモリ用Cr₂Ge₂Te₆相変化材料の局所構造の解明

〇畑山 祥吾¹、シュアン イ¹、フォンス ポール^2,3、齊藤 雄太²、コロボフ アレキサンダー^2,4、小林 啓介⁵、進藤 怜史¹、安藤 大輔¹、須藤 祐司¹ (1.東北大工、2.AIST、3.JASRI、4.ゲルツェン大、5.高知大)

キーワード：相変化メモリ、Cr-Ge-Te、局所構造