[13p-A201-1~9] 非晶質材料の動的現象とデバイス応用の現状と展望

[13p-A201-4] Ge₂Sb₂Te₅ 薄膜のギャップ内準位とキャリア特性

〇後藤 民浩¹ (1.群馬大理工)

キーワード：相変化メモリ、状態密度、光熱偏向分分光法

結晶化率により物性値が大きく変化するGe₂Sb₂Te₅ 薄膜は、相変化メモリ材料として応用が進んでいる。メモリ動作の信頼性向上には高電界が影響するギャップ内準位とキャリア特性の理解が不可欠である。光熱偏向分光法(PDS)を用い、Ge₂Sb₂Te₅ 薄膜のギャップ内準位に由来する弱光吸収の観測をおこなった。アモルファスと結晶の状態密度を明らかにし、キャリアの生成機構について考察する。