[13p-A201-1~9] 非晶質材料の動的現象とデバイス応用の現状と展望

[13p-A201-5] GeSbTe薄膜におけるAgの電気化学反応 ーナノ構造形成から応用までー

〇中岡 俊裕¹、渡部 達也¹、朴 孝晟¹、依田 功²、正光 義則³、川崎 繁男³ (1.上智理工、2.東工大、3.宇宙航空研究開発機構)

キーワード：カルコゲナイド、アモルファス薄膜、放射線センサ

電気化学反応を介し金属イオンが非晶質カルコゲナイド中を移動する現象は，基礎物理およびセンサー，メモリなどへの応用，双方の観点から活発に研究されている。我々は代表的な相変化材料であり，Blu-rayなどに応用されているGe-Sb-Te系薄膜におけるAgイオンの移動を実証してきた。本講演では，電気化学反応に基づいたナノ構造作成からマイクロ波逓倍器、放射線センサーなどの応用に向けた取り組みまで紹介する