[13p-A202-1~17] 13.9 化合物太陽電池

[13p-A202-5] 表面活性化接合を用いたInGaP/GaAs//InGaAsP 3接合型太陽電池の開発

〇(M2)福谷 貴史¹、渡辺 健太郎²、ソダーバンル ハッサネット²、中野 義昭^1,2、杉山 正和^1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

キーワード：太陽電池、多接合、表面活性化接合

表面活性化接合は、より高効率な多接合太陽電池を作製に有用な技術であると考えられている。しかし、この手法によるプロセスの影響などには明らかになっていない点が未だに多い。そこで、InGaP/GaAs//InGaAsP 3接合型太陽電池を試作し、表面活性化接合による接合界面にはトンネルダイオードを構成する構造を採用した。そして試作したセルのIV特性と量子効率を測定し、3接合セルとしての動作を確認した。