14:00 〜 14:30
[13p-A301-2] 抵抗変化型不揮発性メモリReRAMのデバイス技術と次世代アプリへの展開
キーワード：ReRAM、ニューロモルフィックデバイス、水素センサ
ReRAMは2層のタンタル酸化物(TaO)構造に形成されたフィラメント内部の酸素空孔密度を，電流により変化させることで抵抗変化する不揮発性メモリである．ReRAMの特徴（低消費電力・酸素空孔密度によるアナログ特性）を応用し，当社ではエッジAI（RAND）や水素センサ(ReHセンサ)等の次世代アプリ開発を行っている．本発表ではReRAMのデバイス技術及び次世代アプリ向けデバイスについて紹介する．