The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Symposium (Oral)

Symposium » Frontier of Nonvolatile Memory technologies - Spintronic, Phase-change, Resistive and Ferroelectric-

[13p-A301-1~7] Frontier of Nonvolatile Memory technologies - Spintronic, Phase-change, Resistive and Ferroelectric-

Fri. Mar 13, 2020 1:30 PM - 5:15 PM A301 (6-301)

Satoshi Iba(AIST), Hiromi Yuasa(Kyushu univ.)

3:45 PM - 4:15 PM

[13p-A301-5] Phase Change Memory World
-from crystal-amorphous phase-transition to topological spin application-

Junji Tominaga1 (1.AIST)

Keywords:phase change memory, topological insulator, chalcogenides

ストレージクラスメモリと呼ばれる市場拡大が進んでいる。その中でX-point構造をもつ相変化メモリが2018年に市場に投入され、ストレージクラスメモリの地位を不動のものとした。1989年に日本で発明されたGe2Sb2Te5合金の結晶-アモルファス相転移に関する物理は30年にもわたり延々と議論されてきた。2011年には一部の合金相がトポロジカル絶縁体であることが判明し磁気特性も確認された。応用物理の役割として、これまで眠っていた物性を目覚めさせようではないか?