[13p-A301-1~7] 不揮発性メモリ技術の最前線 - スピンから相変化型、抵抗変化型、強誘電体まで本音で議論

[13p-A301-5] 市場拡大が進む相変化メモリ
-結晶・アモルファス相転移からトポロジカルなスピン応用へ-

〇富永 淳二¹ (1.産総研)

キーワード：相変化メモリ、トポロジカル絶縁体、カルコゲン化合物

ストレージクラスメモリと呼ばれる市場拡大が進んでいる。その中でX-point構造をもつ相変化メモリが2018年に市場に投入され、ストレージクラスメモリの地位を不動のものとした。1989年に日本で発明されたGe₂Sb₂Te₅合金の結晶-アモルファス相転移に関する物理は30年にもわたり延々と議論されてきた。2011年には一部の合金相がトポロジカル絶縁体であることが判明し磁気特性も確認された。応用物理の役割として、これまで眠っていた物性を目覚めさせようではないか？