[13p-A301-1~7] 不揮発性メモリ技術の最前線 - スピンから相変化型、抵抗変化型、強誘電体まで本音で議論

[13p-A301-6] STT-MRAMに続く新規スピントロ二クスメモリSOT-MRAM、VoCSMとそのIn-memory computing への応用

〇與田 博明¹、大沢 裕一²、加藤 侑志²、與田 朋美² (1.YODA-S 株式会社、2.SOT-I 株式会社)

キーワード：MRAM、SOT、VCMA

現在、STT-MRAMの実用化が行われているが、高速性と無限回数の書き換え耐性が要求されるキャッシュメモリ用途等の実用性は未踏である。ましてやAI用途では、超低消費電力が要求されるため、ハードルは益々高くなる。そこで、著者らはSOT(Spin Orbit Torque)-MRAMやVoCSM(Voltage-Control Spintronics Memory) 等を用いた新規メモリ階層を提唱しています。本講演では、まずSOT-MRAMの持つ低消費電力と書き換え耐性等の優位性と課題についてレビューし、つぎにAI用途の二大課題である超低消費電力化とデータ転送バンド幅を解決する可能性を持つVoCSMを用いたIn-memory computingについて議論します。