[13p-A301-1~7] 不揮発性メモリ技術の最前線 - スピンから相変化型、抵抗変化型、強誘電体まで本音で議論

[13p-A301-7] スピン軌道トルクを用いたスピン流型磁気メモリの書き込み特性

〇塩川 陽平¹、小村 英嗣¹、石谷 優剛¹、積田 淳史¹、須田 慶太¹、柿沼 裕二¹、寺﨑 幸夫¹、佐々木 智生¹ (1.TDK)

キーワード：スピン軌道トルク、MRAM

スピン軌道トルク(SOT: Spin Orbit Torque)を利用したスピン流型磁気メモリは、その高速動作からSRAMを代替する不揮発性メモリの候補として考えられている。我々のこれまでの報告では、無磁場下での磁化反転が可能な面内磁化型のType-Y SOT-MTJを用いた64素子スピン流型磁気メモリアレイを作製し、10¹²回を超える書き込み耐久性を示した。本発表では、Type-Y SOT-MTJアレイの書き込み特性として、Probability、書き込み耐久性(Endurance)、書き込みエラー率(Write Error Rate: WER)の評価を報告する。