[13p-A305-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13p-A305-3] [The 11th Silicon Technology Division Award Speech] Electron Aspirator using Electron-Electron Scattering in Nanoscale Silicon

〇Yukinori Ono^1,2, Himma Firdaus², Tokinobu Watanabe¹, Masahiro Hori^1,2, Daniel Moraru^1,2, Yasuo Takahashi³, Akira Fujiwara⁴ (1.RIE Shizuoka Univ., 2.GSST Shizuoka Univ., 3.Hokkaido Univ., 4.NTT BRL)

Keywords:silicon, transistor, electron-electron scattering

MOSトランジスタでは、電子の運動量とエネルギーはドレイン端で不可避的に散逸してしまい、このことがトランジスタの駆動力とエネルギー効率を律速する本質的な問題となっている。ここでは、このような原理的限界を打破するために、付加的な電源電圧なしにトランジスタ電流を増幅できる（駆動力を向上させることができる）ナノスケールMOSデバイス：エレクトロン・アスピレーターを提案し、その基本動作を実証した。