[13p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13p-A305-7] Multi-Sidewall TLMを用いた精密なInAs/Ni-InAs間の接触抵抗率測定

〇隅田 圭¹、竹安 淳¹、加藤 公彦¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：InAs、TLM、接触抵抗

メタルS/Dを有するInAs nMOSFETは低温での素子作製が可能であり、金属への低いショットキー障壁を持つことから、将来の3次元集積CMOSへの応用が有望である。しかしながら、代表的な合金であるNi-InAsとInAs間の接触抵抗率を定量的に評価した例は報告されていなく、これはInAs/Ni-InAs系に適したテスト構造が無いことに起因する。そこで本研究ではInAs/Ni-InAs系での接触抵抗率評価を可能とするテスト構造として、Multi-Sidewall TLMを提案し、抵抗評価を実証したので報告する。