The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Symposium (Oral)

Symposium » Future developments on energy storage devices ~For improvement of capacitance and reliability~

[13p-A402-1~10] Future developments on energy storage devices ~For improvement of capacitance and reliability~

Fri. Mar 13, 2020 1:30 PM - 5:55 PM A402 (6-402)

Wataru Sakamoto(Chubu Univ.), Takeshi Yoshimura(Osaka Pref. Univ.)

4:10 PM - 4:40 PM

[13p-A402-7] Fabrication of xCaZrO3-(1-x)NaNbO3 thin films by CSD method and their characterization

〇Takahisa Shiraishi1, Shiho Suzuki1, Takanori Kiguchi1, Toyohiko J. Konno1 (1.Tohoku Univ.)

Keywords:NaNbO3-based materials, Epitaxial thin films, Antiferroelectric

反強誘電体材料は、印加電界に対して特異なP-Eループを示すことから、蓄電デバイスや冷却デバイスへの応用が検討されている。本研究では組成制御が容易な化学溶液堆積法 (CSD法) を用いてより、エピタキシャルxCaZrO3-(1-x)NaNbO3薄膜を作製し、その結晶構造および電気特性を評価したので報告する。