[13p-A405-1~17] 12.2 評価・基礎物性

[13p-A405-7] 和周波発生分光イメージング測定を用いたDPh-BTBT薄膜トランジスタの電界挙動観測

〇片桐 千帆¹、宮前 孝行¹、Li Hao²、Yang Fangyuan²、Baldelli Steven² (1.産総研、2.Univ. of Houston)

キーワード：和周波発生分光法、和周波発生分光イメージング、有機電界効果トランジスタ

有機電界効果トランジスタのさらなる性能向上のためには、絶縁層/半導体界面での電荷挙動を捉えることが重要となる。我々は、圧縮センシングを活用したSFGイメージング技術を使い、素子内部の電界や蓄積電荷が引き起こす分極現象に起因した電界誘起SFG光の観測を試みた。本研究では、OFET素子への電圧印加によって生じるSFG光強度の分布変化をイメージングデータとして取得し得られた電界分布や電荷挙動についての知見を報告する。