[13p-A408-1~16] 12.7 Biomedical Engineering and Biochips

[13p-A408-4] Improvement of leak characteristics of TFT array for biosensor by solution process

〇Sho Kuriyagawa¹, Phan Trong Tue², Daisuke Hirose¹, Tatsuya Shimoda¹, Yuzuru Takamura¹ (1.JAIST, 2.Tokyo Tech)

Keywords:Solution process, Oxide TFT, Leak characteristics

本研究室では、溶液プロセスを用いたバイオセンサの切り替え用途としてのTFTアレイを開発してきた。従来の成果ではリーク電流最大値が大きいことが課題であり、この改善のためにゲート絶縁膜にLaTaO（La:Ta=3:7,0.2 mol/kg）溶液を使用してTFTアレイを作製した。作製したTFTのドレイン電流値は1 pA-10 µA（on/off比10⁷）、リーク電流の最大値は10 pA (V_G=10V)程度であり、従来の成果と比較してリーク電流最大値の2桁程度の改善を達成できた。