[13p-A409-1~14] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[13p-A409-11] WVTR of Al₂O₃ film deposited at room temperature using Pure-Ozone-ALD process with TMA

〇Ayaka Abe¹, Takayuki Hagiwara¹, Naoto Kameda¹, Toshinori Miura¹, Yoshiki Morikawa¹, Mitsuru Kekura¹, Ken Nakamura², Hidehiko Nonaka² (1.MEIDENSHA CORPORATION, 2.AIST)

Keywords:barrier, Room temperature ALD, high purity ozone

明電舎製ピュアオゾンジェネレーターから～100％-O₃を供給し、O₃のみを酸化源とした室温ALD法 (Pure-Ozone-ALD:PO-ALD)をTMAに適用し、PENフィルム上にAl₂O₃膜の成膜を試みた。
当日はそのフィルムの水蒸気透過率(WVTR)や膜質について議論する。