[13p-A409-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [13p-A409-3] 酸素プラズマ処理が与える有機半導体／絶縁膜界面準位への影響

〇木村 由斉¹、服部 吉晃¹、北村 雅季¹ (1.神戸大院工)

キーワード：有機半導体、界面準位、酸素プラズマ処理

絶縁膜表面の親水化，デバイス特性の制御に有効な酸素プラズマ処理が，有機半導体／絶縁膜界面のエネルギー準位に与える影響を，MOSキャパシタ特性を用いて評価した．酸素プラズマ処理時間増加により，ペンタセンMOSキャパシタのフラットバンド電圧が正方向に変化した．また，酸素プラズマ処理時間に比例して，界面トラップ密度が増加した．より詳細な議論から見積もった界面トラップのエネルギー準位分布を当日報告する．