[13p-A409-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [13p-A409-5] 転写法を用いた有機単結晶トランジスタ作製

〇牧田 龍幸^1,2、山村 祥史^1,2、鶴見 淳人³、熊谷 翔平¹、黒澤 忠法¹、佐々木 真理¹、岡本 敏宏^1,2,4、渡邉 峻一郎^1,2、竹谷 純一^1,2,3,5 (1.東大院新領域、2.OPERANDO-OIL、3.物材機構、4.JSTさきがけ、5.パイクリスタル)

キーワード：有機半導体、有機トランジスタ、有機単結晶

有機電界効果トランジスタ（OFET）は低コストで大量生産可能な次世代電子デバイスの基本素子として盛んに研究されている。電極・絶縁膜・有機半導体層といったOFETの各要素の積層時には、多くの制約が存在する。本研究では、この制約の軽減のため、特に半導体層およびソース／ドレイン電極層について、別基板で作製し転写する手法を開発した。これにより、高性能な電気的特性を維持しながら、OFET作製時の自由度を広げることに成功した。