[13p-A409-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [13p-A409-6] Cytop絶縁層上への低分子系半導体の塗布製膜と高急峻TFTスイッチング

〇(D)北原 暁¹、井上 悟¹、東野 寿樹²、井川 光弘¹、松岡 悟志¹、荒井 俊人¹、長谷川 達生¹ (1.東大院工、2.産総研)

キーワード：有機半導体、薄膜トランジスタ、全塗布デバイス

デバイス特性向上に有効とされる不活性・高撥液なアモルファス絶縁膜Cytop上に、溶液法による低分子系有機半導体単結晶の塗布製膜を試みた。Cytop基板上に部分的に電極を配して親液性領域を導入することで、Cytopが溶液に対して親液性のようにふるまい、製膜に成功した。本手法を用いたトランジスタは、理論限界に迫る急峻スイッチング（平均72 mV/dec）等を示し、単結晶半導体・Cytop絶縁層が高品質なキャリア輸送界面を形成することが示唆された。