[13p-A409-1~14] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

△ [13p-A409-7] Evaluation of static and dynamic response in organic thin-film transistors

〇Taiki Sawada¹, Akifumi Yamamura^1,2, Shohei Kumagai¹, Mari Sasaki¹, Toshihiro Okamoto^1,2,3, Shun Watanabe^1,2, Jun Takeya^1,2,4 (1.Univ. of Tokyo, 2.OPERANDO-OIL, 3.JST-PRESTO, 4.NIMS)

Keywords:organic semiconductor, organic thin-film transistor

有機電界効果トランジスタ (OFET) のさらなる高周波応答を実現するためには、遮断周波数などの動的特性と静的な実効移動度を系統的に調査する必要がある。本研究では、チャネル長やゲートオーバーラップ長の異なるOFETを作製し、TLM法を用いたtransfer lengthの算出、および遮断周波数の測定を行った。作製した素子の遮断周波数において、OFETとして最も高い42 MHz という値を記録した。