[13p-A409-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [13p-A409-7] 有機薄膜トランジスタにおける静的・動的応答の評価

〇澤田 大輝¹、山村 祥史^1,2、熊谷 翔平¹、佐々木 真理¹、岡本 敏宏^1,2,3、渡邉 峻一郎^1,2、竹谷 純一^1,2,4 (1.東大院新領域、2.OPERANDO-OIL、3.JSTさきがけ、4.物材機構)

キーワード：有機半導体、有機薄膜トランジスタ

有機電界効果トランジスタ (OFET) のさらなる高周波応答を実現するためには、遮断周波数などの動的特性と静的な実効移動度を系統的に調査する必要がある。本研究では、チャネル長やゲートオーバーラップ長の異なるOFETを作製し、TLM法を用いたtransfer lengthの算出、および遮断周波数の測定を行った。作製した素子の遮断周波数において、OFETとして最も高い42 MHz という値を記録した。