[13p-B406-1~13] 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

[13p-B406-1] YBCO 薄膜の自己磁界下臨界電流密度の温度依存性

〇山崎 裕文¹ (1.産総研)

キーワード：YBCO 薄膜、自己磁界下の臨界電流密度、温度依存性

高濃度の微細ナノ析出物を含む YBCO 薄膜の臨界電流密度の温度依存性は、B = 0.5–1 Tで J_c(T) ~ (1 – T/T_c)^m(1 + T/T_c)², m = 2.5 に近い特性を示すが、自己磁界下では m = 1.5–1.7となった。比較的大きなナノ析出物を含む YBCO 薄膜、積層欠陥とその周辺部の転位ピンを含むフッ素フリーMOD 法 YBCO 薄膜も同様である。低濃度の比較的大きなナノ析出物が、自己磁界下のJ_cを規定している。