2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.3 臨界電流,超伝導パワー応用

[13p-B406-1~13] 11.3 臨界電流,超伝導パワー応用

2020年3月13日(金) 13:15 〜 16:45 B406 (2-406)

山崎 裕文(産総研)、松下 照男(九工大)

15:00 〜 15:15

[13p-B406-7] 超伝導体の表面バリアにおける磁場侵入長の非対称な空間分布の影響

馬渡 康徳1、土屋 雄司2 (1.産総研、2.名大工)

キーワード:超伝導体、表面バリア、磁場侵入長

超伝導薄膜に流す電流の正負を反転させたときに臨界電流が異なる例が報告されているが,そのような非対称な臨界電流特性の機構の可能性として,超伝導層の基板界面と薄膜表面とで超伝導特性や表面粗さが異なる空間的非対称性の影響が検討されている.本研究では,磁場侵入長が一定の場合の Bean-Livingston 表面バリアの理論を拡張し,磁場侵入長が空間分布する場合について理論的考察を行った.超伝導薄膜の表面に平行な量子化磁束線について London model により磁場分布および自由エネルギーを求め,平行磁場中の超伝導薄膜における磁束線の安定性について考察した.